| 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 先端デバイス材料工学 −鳥海・長汐研究室ー
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掲示板
| 主要研究テーマ | 次世代半導体デバイスに向けたマテリアルの開発と要素技術の構築 |
1)高誘電率ゲート絶縁膜(High-k膜）の材料 科学 2)Ge-CMOSをめざした界面場制御 3)Si-CMOSデバイス物理 4)高性能Graphene FET,Pentacene FET |
電子情報機器の急速な発展は半導体集積回路の高集積化に支えられています。これはMOSFETを始めとする各素子の微細化によって達成されてきました。しかし、このまま微細化を際限なく進めることは困難であり、既に数々の物理的な限界が指摘され始めています。当研究室ではこの微細化の限界を乗り越えてさらに高機能な半導体デバイスを実現するために、マテリアルの物性や反応のナノスケールでの制御に関する研究を行っています。 |
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| 最終更新日： May. 11, 2012 ⇒成果発表  図書・論文 国際学会・MRS Spring Meeting 国内学会・第59回 応用物理学関係連合講演会 ⇒平成24年度メンバー ⇒受賞のお知らせ 中嶋泰大 2011年 IEEE EDS Japan Chapter Student Award (VLSI) |
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